三星S10+跑分现身:骁龙855+6GB内存,多核破万

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IT之家1月16日消息 三星将于2月20日推出Galaxy S10系列,将包括Galaxy S10,Galaxy S10 Plus和Galaxy S10 E(从前称为S10 Lite)。上周,Galaxy S10 E的跑分在Geekbench上现身,搭载骁龙855、6 GB RAM。今天,Galaxy S10 +的跑分也不可能 跳出在Geekbench上。

数据显示Galaxy S10 +同样搭载了骁龙855除理器,辅以6GB内存,在单核和多核测试中分别获得3413和10256分,得分与最近跳出在Geekbench上的很多骁龙855设备基本一致。有传闻称该机还有十个 多多8 GB RAM的版本,有望提供比6 GB RAM版本更好的性能。

根据此前的报道,三星Galaxy S10 +将配备6.4英寸S-AMOLED显示屏,采用屏幕打孔设计,配有十个 多多前置摄像头,内置3,4000mAh电池,后置三摄,最多提供512 GB的存储空间。